محققان دانشگاه تهران عملکرد ترانزیستورهای نسل آینده را بهبود دادند
بلک بلاگ: محققان دانشگاه تهران، راهکاری برای افزایش راندمان انرژی و بهبود عملکرد ادوات الکترونیکی ارایه کردند.
به گزارش بلک بلاگ به نقل از دانشگاه تهران، محققان دانشگاه تهران در پژوهشی تازه، قابلیت های ماده دوبعدی WSi₂N₄ را در ساخت ترانزیستورهای نسل جدید مورد بررسی قرار دادند و نشان دادند این ماده می تواند نقش مؤثری در توسعه ادوات الکترونیکی کم مصرف و پرسرعت ایفا کند.
در این تحقیق، عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) و ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET) مبتنی بر تک لایه WSi₂N₄ با استفاده از شبیه سازی های پیشرفته مقایسه شد. نتایج نشان داد ترانزیستورهای NTFET از نظر راندمان انرژی عملکرد بسیار مطلوبی دارند؛ بگونه ای که شیب زیرآستانه آنها به ۱۸.۵ میلی ولت بر دهه کم شده که منتج به کاهش توان مصرفی خواهد شد. همینطور ترانزیستورهای NFET بیشترین جریان روشن یعنی ۴۹۴ میکرو آمپر بر میکرومتر و تأخیر زمانی بسیار پایین را ثبت کردند که مبین عملکرد مطلوب آنها در کاربردهای الکترونیکی آینده است.
این موفقیت می تواند مسیر توسعه نسل جدید مدارهای الکترونیکی با مصرف انرژی کمتر، سرعت بالاتر و بازده بیشتر را هموار کرده و در طراحی تجهیزات الکترونیکی پیشرفته و فناوری های کم مصرف مورد استفاده قرار گیرد.
این پژوهش توسط حمیدرضا قنبری خرّم فارغ التحصیل دانشگاه تهران، صمد شیخایی عضو هیات علمی دانشکده برق و کامپیوتر دانشکدگان فنی دانشگاه تهران، شعیب بابایی توسکی و علیرضا کوکبی از اعضای هیأت علمی دانشگاه صنعتی همدان انجام شده و نتایج آن در مجله
Journal of Physics and Chemistry of Solids
انتشار یافته است.
در این مطالعه، عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) و ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET) مبتنی بر تک لایه WSi₂N₄ با استفاده از شبیه سازی های پیشرفته مقایسه شد. این مطالعه توسط حمیدرضا قنبری خرّم فارغ التحصیل دانشگاه تهران، صمد شیخایی عضو هیئت علمی دانشکده برق و کامپیوتر دانشکدگان فنی دانشگاه تهران، شعیب بابایی توسکی و علیرضا کوکبی از اعضای هیات علمی دانشگاه صنعتی همدان انجام شده و نتایج آن در مجله انتشار یافته است.
این مطلب را می پسندید؟
(0)
(0)
تازه ترین مطالب مرتبط
نظرات بینندگان در مورد این مطلب